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半導體靶材淺析

來源: 發布時間:2019-04-23           

  半導體靶材淺析

  在當今及以后的半導體制造流程當中,濺射靶材無疑是重中之重的原材料,其質量和純度對半導體產業鏈的后續生產質量起著關鍵性作用。

  靶材,特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)工藝,是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。

  所謂濺射,是制備薄膜材料的主要技術,也是PVD的一種。它通過在PVD設備中用離子對目標物進行轟擊,使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出,從而在晶圓表面沉積,濺鍍形成金屬薄膜,其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。

  相比PVD的另一種工藝——真空鍍膜,濺射鍍膜工藝可重復性好、膜厚可控制,可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜,所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結合力強等優點,已成為制備薄膜材料的主要技術。

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